onsemi SMUN5230DW1T1G

型号:
SMUN5230DW1T1G
品牌:
onsemi
分类:
晶体管-双极(BJT)-预偏置阵列
封装:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
规格书:
富东商城(Fudong mall)SMUN5230DW1T1G.pdf
描述:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
数量:

单价:¥0

总价:¥0

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产品详情

1. 如何在富东通信(深圳)集团有限公司上订购SMUN5230DW1T1G

目前,富东通信(深圳)集团有限公司只提供对等订单处理。当您提交询价时,我们的专业代理将与您联系,告知您全球市场上具有竞争力的价格,如果您接受我们的报价,我们的代理将提示您完成订单。

2. 富东通信(深圳)集团有限公司如何保证SMUN5230DW1T1G来自原始制造商或授权代理商?

我们有一个专业且经验丰富的质量控制团队来严格验证和测试SMUN5230DW1T1G。所有供应商必须通过我们的资格审查,才能在富东通信(深圳)集团有限公司上发布包括SMUN5230DW1T1G在内的产品;我们比任何其他客户都更注重SMUN5230DW1T1G产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,因此您可以放心购买。

3. SMUN5230DW1T1G的价格和库存显示是否准确?

SMUN5230DW1T1G的价格和库存波动频繁,无法及时更新,将在24小时内定期更新。而且,我们的报价通常在5天后到期。

4. 可以接受什么形式的付款?

电汇、PayPal、支付宝、微信、信用卡、西联汇款、速汇金和托管都可以接受。

温馨提示:某些付款形式的订单可能需要手续费。

5. 运输安排如何?

客户可以选择行业领先的货运公司,包括DHL、UPS、FedEx、TNT和挂号信。还提供运输保险。

一旦您的订单处理完毕,我们的销售人员将向您发送一封电子邮件,告知您发货状态和跟踪号码。

温馨提示:运营商可能需要长达24小时才能显示跟踪信息。通常,快递需要3-5天,挂号信需要25-60天。

6. 归还或更换SMUN5230DW1T1G的流程是什么?

所有货物都将进行装运前检查(PSI),从您订单的所有批次中随机选择,以便在安排装运前进行系统检查。如果我们交付的SMUN5230DW1T1G有问题,只有在满足以下所有条件时,我们才会接受更换或退回SMUN5230DW1T1G:

(1)例如数量不足、交付错误的物品以及明显的外部缺陷(破损和生锈等),我们承认这些问题。

(2)我们在交付SMUN5230DW1T1G后90天内获悉上述缺陷。

(3)型号未使用,仅在原始未包装的包装中。

退货的两个过程:

(1)在90天内通知我们

(2)获得申请退货授权

7.如何联系我们以获得技术支持,如SMUN5230DW1T1G引脚图、SMUN5230DW1T1G规格书?

如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。

图片 NSBC124EDXV6T1G SMUN5311DW1T3G SMUN5237DW1T1G MUN5116DW1T1G SMUN5114DW1T1G
型号 NSBC124EDXV6T1G SMUN5311DW1T3G SMUN5237DW1T1G MUN5116DW1T1G SMUN5114DW1T1G
品牌 onsemi onsemi onsemi onsemi onsemi
Packaging Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
TransistorType 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current-Collector(Ic)(Max) 100mA 100mA 100mA 100mA 100mA
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 50V 50V 50V 50V 50V
Resistor-Base(R1) 1kOhms 1kOhms 1kOhms 1kOhms 1kOhms
Resistor-EmitterBase(R2) 1kOhms 1kOhms 1kOhms 1kOhms 1kOhms
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 3 @ 5mA, 10V 3 @ 5mA, 10V 3 @ 5mA, 10V 3 @ 5mA, 10V 3 @ 5mA, 10V
VceSaturation(Max)@IbIc 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA
Current-CollectorCutoff(Max) 500nA 500nA 500nA 500nA 500nA
Frequency-Transition - - - - -
Power-Max 187mW 187mW 187mW 187mW 187mW
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

SMUN5230DW1T1G 相关信息

以下部分包括ISSI中的“SMUN5230DW1T1G”。

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EMD4T2R

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XP0421500L

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NSBC124EDXV6T1G

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NHUMD3F

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Nexperia USA Inc.

PBLS4001Y,115

PBLS4001Y,115

Nexperia USA Inc.

SMUN5311DW1T3G

SMUN5311DW1T3G

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