Infineon Technologies SPA08N50C3

型号:
SPA08N50C3
品牌:
Infineon Technologies
分类:
晶体管-场效应晶体管,MOSFET-单个
封装:
PG-TO220-3-111
规格书:
富东商城(Fudong mall)SPA08N50C3.pdf
描述:
N-CHANNEL POWER MOSFET
数量:

单价:¥0

总价:¥0

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产品详情

1. 如何在富东通信(深圳)集团有限公司上订购SPA08N50C3

目前,富东通信(深圳)集团有限公司只提供对等订单处理。当您提交询价时,我们的专业代理将与您联系,告知您全球市场上具有竞争力的价格,如果您接受我们的报价,我们的代理将提示您完成订单。

2. 富东通信(深圳)集团有限公司如何保证SPA08N50C3来自原始制造商或授权代理商?

我们有一个专业且经验丰富的质量控制团队来严格验证和测试SPA08N50C3。所有供应商必须通过我们的资格审查,才能在富东通信(深圳)集团有限公司上发布包括SPA08N50C3在内的产品;我们比任何其他客户都更注重SPA08N50C3产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,因此您可以放心购买。

3. SPA08N50C3的价格和库存显示是否准确?

SPA08N50C3的价格和库存波动频繁,无法及时更新,将在24小时内定期更新。而且,我们的报价通常在5天后到期。

4. 可以接受什么形式的付款?

电汇、PayPal、支付宝、微信、信用卡、西联汇款、速汇金和托管都可以接受。

温馨提示:某些付款形式的订单可能需要手续费。

5. 运输安排如何?

客户可以选择行业领先的货运公司,包括DHL、UPS、FedEx、TNT和挂号信。还提供运输保险。

一旦您的订单处理完毕,我们的销售人员将向您发送一封电子邮件,告知您发货状态和跟踪号码。

温馨提示:运营商可能需要长达24小时才能显示跟踪信息。通常,快递需要3-5天,挂号信需要25-60天。

6. 归还或更换SPA08N50C3的流程是什么?

所有货物都将进行装运前检查(PSI),从您订单的所有批次中随机选择,以便在安排装运前进行系统检查。如果我们交付的SPA08N50C3有问题,只有在满足以下所有条件时,我们才会接受更换或退回SPA08N50C3:

(1)例如数量不足、交付错误的物品以及明显的外部缺陷(破损和生锈等),我们承认这些问题。

(2)我们在交付SPA08N50C3后90天内获悉上述缺陷。

(3)型号未使用,仅在原始未包装的包装中。

退货的两个过程:

(1)在90天内通知我们

(2)获得申请退货授权

7.如何联系我们以获得技术支持,如SPA08N50C3引脚图、SPA08N50C3规格书?

如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。

图片 SPW35N60C3FKSA1 IPP065N03LG SPD50N03S2L SP000629364 SPB03N60C3
型号 SPW35N60C3FKSA1 IPP065N03LG SPD50N03S2L SP000629364 SPB03N60C3
品牌 Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Packaging Bulk Bulk Bulk Bulk Bulk
Series CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 560 V 560 V 560 V 560 V 560 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.6A (Tc) 7.6A (Tc) 7.6A (Tc) 7.6A (Tc) 7.6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 600mOhm @ 4.6A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.9V @ 350µA 3.9V @ 350µA 3.9V @ 350µA 3.9V @ 350µA 3.9V @ 350µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 32 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V ±20V ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 750 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 32W (Tc) 32W (Tc) 32W (Tc) 32W (Tc) 32W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

SPA08N50C3 相关信息

以下部分包括ISSI中的“SPA08N50C3”。

  • 型号
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  • 封装
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