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图片 | ![]() |
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型号 | IDD08SG60CXTMA2 | IDH03SG60CXKSA2 | IDD09SG60CXTMA2 | IDD10SG60CXTMA2 | IDK05G65C5XTMA2 |
品牌 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
Series | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ |
RoHS | RoHS | RoHS | RoHS | RoHS | RoHS |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky | Silicon Carbide Schottky |
Part Status | Active | Active | Active | Active | Active |
Mounting Type | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 1V, 1MHz | 60pF @ 1V, 1MHz | 60pF @ 1V, 1MHz | 60pF @ 1V, 1MHz | 60pF @ 1V, 1MHz |
Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns | 0 ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 600 V | 15 µA @ 600 V | 15 µA @ 600 V | 15 µA @ 600 V | 15 µA @ 600 V |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
Current - Average Rectified (Io) | 3A (DC) | 3A (DC) | 3A (DC) | 3A (DC) | 3A (DC) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3 V @ 3 A | 2.3 V @ 3 A | 2.3 V @ 3 A | 2.3 V @ 3 A | 2.3 V @ 3 A |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Microchip Technology
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