Infineon Technologies IMZA65R057M1HXKSA1

型号:
IMZA65R057M1HXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
分类:
晶体管-场效应晶体管,MOSFET-单个
封装:
PG-TO247-4-3
规格书:
富东商城(Fudong mall)IMZA65R057M1HXKSA1.pdf
描述:
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
数量:

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产品详情

1. 如何在富东通信(深圳)集团有限公司上订购IMZA65R057M1HXKSA1

目前,富东通信(深圳)集团有限公司只提供对等订单处理。当您提交询价时,我们的专业代理将与您联系,告知您全球市场上具有竞争力的价格,如果您接受我们的报价,我们的代理将提示您完成订单。

2. 富东通信(深圳)集团有限公司如何保证IMZA65R057M1HXKSA1来自原始制造商或授权代理商?

我们有一个专业且经验丰富的质量控制团队来严格验证和测试IMZA65R057M1HXKSA1。所有供应商必须通过我们的资格审查,才能在富东通信(深圳)集团有限公司上发布包括IMZA65R057M1HXKSA1在内的产品;我们比任何其他客户都更注重IMZA65R057M1HXKSA1产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,因此您可以放心购买。

3. IMZA65R057M1HXKSA1的价格和库存显示是否准确?

IMZA65R057M1HXKSA1的价格和库存波动频繁,无法及时更新,将在24小时内定期更新。而且,我们的报价通常在5天后到期。

4. 可以接受什么形式的付款?

电汇、PayPal、支付宝、微信、信用卡、西联汇款、速汇金和托管都可以接受。

温馨提示:某些付款形式的订单可能需要手续费。

5. 运输安排如何?

客户可以选择行业领先的货运公司,包括DHL、UPS、FedEx、TNT和挂号信。还提供运输保险。

一旦您的订单处理完毕,我们的销售人员将向您发送一封电子邮件,告知您发货状态和跟踪号码。

温馨提示:运营商可能需要长达24小时才能显示跟踪信息。通常,快递需要3-5天,挂号信需要25-60天。

6. 归还或更换IMZA65R057M1HXKSA1的流程是什么?

所有货物都将进行装运前检查(PSI),从您订单的所有批次中随机选择,以便在安排装运前进行系统检查。如果我们交付的IMZA65R057M1HXKSA1有问题,只有在满足以下所有条件时,我们才会接受更换或退回IMZA65R057M1HXKSA1:

(1)例如数量不足、交付错误的物品以及明显的外部缺陷(破损和生锈等),我们承认这些问题。

(2)我们在交付IMZA65R057M1HXKSA1后90天内获悉上述缺陷。

(3)型号未使用,仅在原始未包装的包装中。

退货的两个过程:

(1)在90天内通知我们

(2)获得申请退货授权

7.如何联系我们以获得技术支持,如IMZA65R057M1HXKSA1引脚图、IMZA65R057M1HXKSA1规格书?

如果您需要任何售后服务,请随时与我们联系。

图片 IMW65R057M1HXKSA1 IMZA65R057M1HXKSA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 IMW120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1
型号 IMW65R057M1HXKSA1 IMZA65R057M1HXKSA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 IMW120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1
品牌 Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Packaging Tube Tube Tube Tube Tube
Series CoolSiC™ CoolSiC™ CoolSiC™ CoolSiC™ CoolSiC™
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 35A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V 18V 18V 18V 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 74mOhm @ 16.7A, 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 5.7V @ 5mA 5.7V @ 5mA 5.7V @ 5mA 5.7V @ 5mA 5.7V @ 5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 28 nC @ 18 V 28 nC @ 18 V 28 nC @ 18 V 28 nC @ 18 V 28 nC @ 18 V
Vgs(Max) +20V, -2V +20V, -2V +20V, -2V +20V, -2V +20V, -2V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 930 pF @ 400 V 930 pF @ 400 V 930 pF @ 400 V 930 pF @ 400 V 930 pF @ 400 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 133W (Tc) 133W (Tc) 133W (Tc) 133W (Tc) 133W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IMZA65R057M1HXKSA1 相关信息

以下部分包括ISSI中的“IMZA65R057M1HXKSA1”。

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