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图片 | ![]() |
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型号 | TK28A65W,S5X | TK7P65W,RQ | TK14G65W,RQ | TK7A60W5,S5VX | TK7P60W5,RVQ |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
Series | DTMOSIV | DTMOSIV | DTMOSIV | DTMOSIV | DTMOSIV |
ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
DraintoSourceVoltage(Vdss) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 27.6A (Ta) | 27.6A (Ta) | 27.6A (Ta) | 27.6A (Ta) | 27.6A (Ta) |
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
RdsOn(Max)@IdVgs | 110mOhm @ 13.8A, 10V | 110mOhm @ 13.8A, 10V | 110mOhm @ 13.8A, 10V | 110mOhm @ 13.8A, 10V | 110mOhm @ 13.8A, 10V |
Vgs(th)(Max)@Id | 3.5V @ 1.6mA | 3.5V @ 1.6mA | 3.5V @ 1.6mA | 3.5V @ 1.6mA | 3.5V @ 1.6mA |
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 75 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V |
FETFeature | - | - | - | - | - |
PowerDissipation(Max) | 45W (Tc) | 45W (Tc) | 45W (Tc) | 45W (Tc) | 45W (Tc) |
OperatingTemperature | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
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